REZIME EGZEKITIF
Chwazi yon sistèm litografi san mask (-ekri dirèk) se youn nan desizyon ki pi estratejik pou yon etablisman sal pwòp avanse. Pandan ke teknoloji maskless elimine depans akizisyon fotomask fizik (ekonomize dè milye de dola pou chak revizyon) ak retresi sik rediksyon konsepsyon soti nan semèn rive minit, seleksyon ekipman souvan soufri nan yon enkonpreyansyon fondamantal nan espesifikasyon teknik.
Enjenyè pwosesis yo ak ekip akizisyon yo souvan evalye machin yo baze sèlman sou yon sèl "gwosè karakteristik minimòm" sou yon fichye vandè. Nan fotolitografi fizik, sepandan, yon dimansyon kritik izole (CD) ak yon liy/espas minimòm dans (L/S) anplasman peryodik reprezante rejim optik totalman diferan:
• Dimansyon kritik (CD) defini karakteristik ki pi etwat izole (tankou yon pòtay izole tranzistò oswa yon bann kontak) ke sistèm optik la ka ekspoze sou fotorezist.
• Liy/Espas Minimòm (L/S) defini pi piti liy repetisyon 1:1 ak etalaj peryodik tranche (tankou griyaj optik dans oswa otobis entèkoneksyon ki gen gwo -dansite) ke sistèm lan ka netwaye san yo pa pon, deformation oswa distòsyon pwoksimite.
Yon machin ki kapab enprime yon CD izole 0.4 μm ka mande pou yon liy/espas minimòm de 0.8 μm lè li fè modèl etalaj peryodik dans akòz efè pwoksimite optik imaj ayeryen, sipèpoze dòz gwo bout bwa, epi reziste kont papòt kontras. Kontrèman, sistèm optik espesyalize ki fèt pou modulasyon simetrik 1:1 ka rezoud 0.5 μm CD ansanm ak 0.5 μm liy / espas.
Gid sa a bay yon kad jeni solid pou evalye sistèm litografi san mask Nice-Tech (MLM 100, MLM 200, MLM 400, ak MLM 500) kont jeyometri egzak aparèy ou an, reziste chimi, pwofondè konsantre (DOF), ak kondisyon debi chanm pwòp.
1. ENTWODIKSYON: POUKISA JEOMETRI DIKTE EKIPMAN CHWA
Nan sal pwòp mikrofabrikasyon yo, sistèm litografi san mask (ki rele tou litografi dirèk -ekri, pwojeksyon aparèy mikromirror dijital [DMD], oswa sistèm modulator limyè espasyal [SLM]) te transfòme pwototip rapid, fabrikasyon semi-kondiktè konpoze, ak fabrikasyon volim ba-a-. Lè yo elimine chrome fizik-sou-fotomask kwatz, ekip jeni yo ka repete plan konsepsyon (fichye GDSII oswa OASIS) an tan reyèl.
Sepandan, seleksyone bon machin nan mande pou gade sou reklamasyon maketing nivo sifas-pase yo. Lè achtè potansyèl yo mande sou kapasite ekipman yo, ankèt ki pi komen se tou senpleman: "Ki rezolisyon machin sa a?"
Nan litografi pwodiksyon, "rezolisyon" se pa yon nimewo sèl. Yon motè optik konpòte yon fason diferan lè ekspoze yon sèl liy izole konpare ak ekspoze dè santèn de liy paralèl adjasan ki gen yon distans mikwomèt. Chwazi yon konfigirasyon ekipman ki baze sou CD izole lè aparèy ou an mande liy griyaj dans inevitableman mennen nan echèk pwosesis -sa ki lakòz liy pon, reziste baz, oswa rapò aspè tonbe. Okontrè, plis pase-espesifye yon sistèm pou liy sous-mwatye- dans lè aparèy ou an gen sèlman tras wout 1.5 μm ajoute depans kapital ki pa nesesè epi redwi drastikman debi wafer.
Pou fè yon envèstisman kapital B2B enfòme, achtè yo dwe analize distenksyon fizik ant CD ak liy/espas, kat yo dirèkteman nan espesifikasyon ekipman machann yo, epi evalye konpwomi optik ki kache yo.
2. DISTINKSYON KRISYÈL LA: CD izole VS. DENSE LINE/ESPAS
Konprann poukisa zouti ekriti dirèk -optik yo rapòte diferan valè pou CD izole ak liy/espas dans yo mande pou egzamine fizik fòmasyon imaj ayeryen, efè pwoksimite optik, ak chimi fotorezist.
2.1 Kisa Dimansyon Kritik (CD) ye?
Nan metroloji semi-conducteurs, Dimansyon Kritik refere a eleman jeyometrik ki pi sansib nan yon sikwi entegre oswa aparèy MEMS. Tipikman, CD refere a yon karakteristik izole:
• Yon dwèt pòtay izole sou yon tranzistò mobil nitrure Galyòm (GaN) High-Electron-Mobility Transistor (HEMT).
• Yon ridge gid ond optik izole nan yon sikwi fotonik entegre.
• Yon ouvèti kontak izole oswa gon cantilever nan yon Capteur MEMS.
Lè yo ekspoze yon liy izole nan yon sistèm ki san mask, motè optik la konsantre enèji ekspoze sou yon seri etwat fotorezist. Paske pa gen okenn modèl ekspoze adjasan nan vwazinaj imedya a, limyè ki gaye ki gaye (kòt difraksyon -lob) gaye san danje nan jaden an nwa. Lè yo byen kalibre dòz ekspoze a, ouvèti nimerik, ak tan devlopman, yon sistèm ekri modèn dirèk -ka reyalize konsiderableman byen izole CD valè -souvan desann nan 0.4 μm.
2.2 Kisa Liy/Espas Minimòm (L/S) ye?
Kontrèman, Liy/Espas Minimòm refere a yon etalaj dans de liy altènatif ak espas, tipikman konfigirasyon nan yon rapò anplasman 1: 1 (egal lajè liy ak diferans tranche):
• Griyaj difraksyon optik, kristal fotonik, ak miwa lazè distribiye fidbak (DFB).
• Gwo -dansite Interdigitated Electrode (IDE) biodetèktè ak etalaj mikwo-elektwòd (MEA).
• Anplasman metalizasyon dans ak wout otobis nan anbalaj avanse.
Lè yon motè optik pwojè plizyè travès byen espace oswa piksèl mikromirror modulation, vag limyè ki soti nan liy adjasan sipèpoze akòz difraksyon optik. Crosstalk optik sa a kreye yon "entansite background" ki wo andedan tranche ki pa ekspoze ant liy yo.
Kontras optik imaj ayeryen an defini pa Fonksyon Transfè Modulation (MTF):
Kontras=(I_max - I_min) / (I_max + I_min)
Kòm anplasman an vin pi sere, I_min (entansite a nan espas nwa a) monte siyifikativman pi wo pase zewo akòz efè pwoksimite optik. Si kontras imaj ayeryen an desann pi ba pase papòt kontras chimik fotorezist la, fotorezist la pa ka fè distenksyon ant liy ki ekspoze a ak tranche ki pa ekspoze a. Sa a pwodui defo klasik sal pwòp:
• Reziste Pont: Devlopman enkonplè kote liy adjasan yo rantre ansanm.
• Resist Scumming: Rezid rès fotorezistans ki rete nan etaj tranche a.
• Efondreman Modèl: Echèk mekanik nan gwo -aspè- liy rezistans dans pandan seche sòlvan.
2.3 Poukisa MLM 200 reyalize 0.4 μm CD men 0.8 μm liy/espas?
Yon premye egzanp komès fizik sa a-nan modèl MLM 200 Nice-Tech la:
• Dimansyon kritik (izole): 0.4 μm
• Minimòm liy/espas (Danse 1:1): 0.8 μm
Pwofil paramèt sa a komen nan gwo -precision ekriti dirèk-litografi. MLM 200 itilize yon motè livrezon optik konsantre ki kapab ekri karakteristik izole ultra-afine jiska 0.4 μm. Sepandan, lè y ap mete liy kòt-a-kòt nan yon kadriyaj dans 1:1, pwoksimite optik mande yon espas minimòm de 0.8 μm pou asire ase kontras optik (I_max kont I_min) pou netwaye tranche a nèt san pon.
Pou devlopè aparèy pouvwa RF modèl 0.4 μm GaN HEMT pòtay ak espas lajè sous -drenaj (2 μm a 5 μm), MLM 200 la se pi bon. Sepandan, si menm pwomotè sa a eseye enprime yon griyaj dans 0.4 μm / 0.4 μm (0.8 μm plen anplasman), kontras optik la ap degrade, ki mennen ale nan reziste pon, sof si yo chwazi yon sistèm optik espesyalman optimize pou etalaj 1:1 dans.
2.4 Poukisa MLM 500 reyalize 0.5 μm CD ak simetrik 0.5 μm liy/espas?
Kontrèman, karakteristik MLM 500 Nice-Tech la:
• Dimansyon kritik (izole): 0.5 μm
• Minimòm liy/espas (Danse 1:1): 0.5 μm
MLM 500 a enkòpore yon gwo -nimerik- ouvèti (segondè-NA) sistèm pwojeksyon asosye ak avanse modulation espasyal limyè ak konpansasyon sub-pixel kwen. Konfigirasyon optik sa a kenbe kontras MTF segondè menm nan frekans optik sere, sa ki pèmèt entansite limyè tonbe sevè nan rejyon espas nwa yo. Kòm yon rezilta, liy dans 1:1 ak espas yo ka rezoud simetrik desann nan 0.5 μm san scumming oswa pon.
3. MATRIS SELEKSYON TEKNIK: BEL -PROYÈSYON LITOGRAFIK SAN MASKÈ
Nice-Tech fabrike kat modèl litografi dedye san mask, yo chak fèt pou domèn fabrikasyon espesifik ak pwofil jewometrik. Tablo ki anba a montre espesifikasyon teknik ofisyèl yo:
=================================================================================================================
Modèl CD (Izole) Min Liy/Espas (1:1) Prensipal Domèn Optical Cleanroom Konsantre
=================================================================================================================
MLM 100 0.8 μm 1.0 μm Balanse segondè-DOF Dirèk Ekri Jeneral R&D, MEMS, Microfluidics
MLM 200 0.4 μm 0.8 μm Fine-Spot Sub-Micron Delivery GaN/GaAs RF, Power HEMT, Waveguides
MLM 400 1.0μm 2.0 μm lajè-Jaden segondè-Debi motè rezistans epè, RDL anbalaj, pouvwa ICs
MLM 500 0.5 μm 0.5 μm segondè-NA Simetrik kontras motè dans optik griyaj, MEA, kristal
=================================================================================================================
3.1 Bèl-Tech MLM 100: Chwal Workhorse nan Cleanroom (CD: 0.8 μm|L/S: 1.0 μm)
MLM 100 enjenyè kòm kolòn vètebral versatile pou sant nanofabrikasyon inivèsite milti-ilizatè yo, laboratwa endistriyèl R&D, ak enstalasyon pwototip MEMS.
• Pwofil jewometrik: Reliably rezoud karakteristik izole desann nan 0.8 μm ak liy peryodik dans desann nan 1.0 μm.
• Karakteristik optik: Opere ak yon ouvèti optik nimerik optimize pou latitid pwosesis lajè. Li bay yon pwofondè jenere nan Konsantre (DOF tipikman> 5 μm a 10 μm depann sou epesè reziste), fè li padonnen topografi sifas substra ak ti banza wafer.
• Pwosesis konpatibilite: konpatib ak estanda pozitif i-liy / h-liy novolac photoresists (tankou AZ 1500, AZ 4562, Shipley S1800 seri) ak negatif reziste (SU-8, KMPR).
• Aplikasyon tipik: chanèl koule mikrofluidik, mikrochip byomedikal, akseleromèt cantilever, resonator acoustic, ak estrikti tès estanda wafer-nivo.
• Rekòmandasyon akizisyon: Chwazi MLM 100 la si sal pwòp ou a jere divès pwojè, trete epesè reziste modere (1.5 μm a 5 μm), epi li pa mande pou gwosè karakteristik anba-mwatye-mikwon.
3.2 Bèl-Tech MLM 200: Presizyon pou Aparèy Sub-Micron (CD: 0.4 μm|L/S: 0.8 μm)
MLM 200 se objektif-konstwi pou sal pwòp ki pwodui gwo-frekans, semi-kondiktè konpoze, ak aparèy optoelektwonik presizyon kote karakteristik izole sub-mikwon yo enpòtan anpil.
• Pwofil jewometrik: Reyalize yon dimansyon kritik 0.4 μm pou liy izole, pòtay, ak bann kontak, ak kapasite liy/espas dans nan 0.8 μm.
• Karakteristik optik: Anplwaye optik espesyalize ki fòme -yo ak kontwòl egzak dòz ekspoze pou egwize kontras kwen sou estrikti izole yo.
• Pwosesis konpatibilite: Pèfòmans eksepsyonèlman ak mens, segondè -fotorezistans kontras (0.5 μm a 1.2 μm epesè) tankou AZ 6112, AZ 703, oswa SPR 700. Egzije kontwòl konsantre pi sere pase MLM 100 la.
• Aplikasyon tipik: T-gate ak djondjon pòtay modèl pou Nitrure Galyòm (GaN) ak Arsenid Galyòm (GaAs) aparèy HEMT, gwo-detektè fotovitès, routage optik gid ond, ak sub-mikwon izole metal leve{{3}off estrikti.
• Akizisyon Rekòmandasyon: Chwazi MLM 200 a si pwosesis ou a mande pou modèl pòtay izole kritik oswa liy ant 0.4 μm ak 0.8 μm san yo pa mande pou etalaj peryodik dans anba a 0.8 μm.
3.3 Bèl-Tech MLM 400: Segondè-Debi ak epè-Reziste Pwosesis (CD: 1.0 μm|L/S: 2.0 μm)
MLM 400 a pwepare pou enstalasyon priyorite debi ekspoze, gwo-pwosesis zòn, ak konpatibilite ak fotorezistans ultra-epè.
• Profil jewometrik: Konfigirasyon pou 1.0 μm CD izole ak 2.0 μm minimòm liy / espas.
• Karakteristik optik: Itilize yon pi gwo jaden pwojeksyon optik ak yon gwo -pwofondè-de-tren optik konsantre. DOF pwolonje a (souvan > 20 μm a 50 μm nan rezistans epè) asire ke limyè penetre pwofondman nan fim epè san yo pa degrade ang flan.
• Avantaj Debi: Paske chak ankadreman optik kouvri yon zòn ekspoze pi laj, tan ekriti wafer yo konsiderableman pi rapid pase sou zouti bon -rezolisyon. Ekspoze yon wafer konplè 100 mm oswa 150 mm sou MLM 400 la ka fini nan yon fraksyon nan tan ki nesesè nan sistèm sub-mikwon yo.
• Pwosesis konpatibilite: Ideyal pou fotoresist fim epè -(10 μm a 100 μm SU-8, AZ 4562, AZ 9260, polymide, BCB).
• Aplikasyon tipik: Kouch redistribisyon anbalaj avanse (RDL), wafer-nivo chip echèl anbalaj (WLCSP), gwo -semi-kondiktè kouran kouran, mwazi mèt mikrofluidik, mwazi electroplating epè, ak MEMS mikromachined en.
• Akizisyon Rekòmandasyon: Chwazi MLM 400 a si karakteristik ou yo pi gran pase oswa egal a 1.0 μm, pwosesis ou a itilize kouch epè reziste, oswa gwo debi wafer se prensipal priyorite komèsyal ou.
3.4 Nice-Tech MLM 500: Simetrik segondè-Rezolisyon dansite (CD: 0.5 μm|L/S: 0.5 μm)
MLM 500 a se sistèm prensipal Nice-Tech pou egzijans mikwo-optik, fotonik, ak dans fabwikasyon detèktè peryodik.
• Pwofil jewometrik: Delivre balanse 0.5 μm CD izole ansanm ak 0.5 μm dans 1: 1 liy / espas anplasman (1.0 μm plen griyaj anplasman).
• Karakteristik optik: Konbine optik pwojeksyon wo -NA ak modulasyon micromirror dijital avanse ak entèpolasyon kwen sub-pixel. Sistèm sa a siprime lòb kote-difraksyon epi anpeche akimilasyon limyè ki pèdi nan tranche etwat yo.
• Pwosesis konpatibilite: Mande strik kontwòl tanperati chanm pwòp (±0.5 degre) ak mens, segondè -kontras reziste (0.3 μm a 0.8 μm).
• Aplikasyon tipik: Griyaj difraksyon sub-mikwon, metamateryèl optik, gid vag kristal fotonik, transducteur vag acoustic sifas dans (SAW), biodetèktè entèdijite, ak etalaj mikwo-elektwòd (MEA).
• Rekòmandasyon akizisyon: Chwazi MLM 500 la si achitekti aparèy ou an depann anpil sou estrikti peryodik ki byen chaje nan demi-mikwòn.
4. KOMPÈS JENI DERIVE-: VITESSE, DOF, AK ALIYMAN
Lè w ap chwazi ant MLM 100, 200, 400, ak 500, enjenyè yo dwe konsidere tou twa paramèt segondè kritik ki afekte dirèkteman operasyon chanm pwòp chak jou:
4.1 Vitès Ekspozisyon (Debi) vs Rezolisyon
Nan nenpòt zouti litografi dirèk-ekri, gen yon echanj fizik fondamantal- ant vitès ekspoze ak rezolisyon optik:
• Fine rezolisyon (tankou nan MLM 200 ak MLM 500) mande pou yon pi piti gwosè pixel projetée ak pi gwo agrandisman, sa vle di mwens milimèt kare nan wafer a ekspoze pa segonn pou yon pouvwa sous limyè bay.
• Rezolisyon dekontrakte (tankou nan MLM 400 la) sèvi ak pi gwo piksèl projetée, ki kouvri pi gwo zòn ekspoze pou chak flash dijital ak ogmante dramatikman debi wafer.
Règ: Pa janm achte plis rezolisyon pase achitekti aparèy ou an mande. Si liy metal ki pi sere ou a se 2.5 μm, chwazi yon zouti 0.4 μm pral san nesesite lonje tan ekspoze soti nan minit rive èdtan pou chak wafer.
4.2 Pwofondè Konsantre (DOF) ak epesè reziste
Ekwasyon pwofondè konsantre Rayleigh gouvène tout sistèm pwojeksyon:
DOF=k₂ × λ / (NA)²
Remake ke DOF diminye ak kare Ouvèti nimerik la. Yon lantiy segondè-NA ki nesesè pou rezolisyon anba-mwatye-mikwon bay yon pwofondè etwat konsantre (souvan <1.5 μm). Si yon enjenyè eseye vire yon rezistans SU-8 ki gen 15 μm epè sou yon zouti ki wo-NA, tèt rezistans la ka konsantre pandan ke anba a vin twoub grav, sa ki lakòz flan yo koupe oswa fè pant.
• For thick resists (>10 μm): MLM 400 a bay pwofondè ki nesesè nan konsantre.
• Pou estanda reziste (1.5 μm a 5 μm): MLM 100 a bay yon balans optimal nan rezolisyon ak DOF.
• Pou rezistans ultra-mens (< 1.0 μm): The MLM 200 and MLM 500 excel at fine line delineation.
4.3 Kouch-a-Aliyman Kouch ak presizyon kouvri
Yon zouti litografi raman opere nan izolasyon; li modèl kouch sou tèt estrikti ki te deja grave oswa metalize.
• Aliyman optik sou tèt: Tout modèl Nice-Tech MLM yo prezante kamera vizyon segondè-rezolisyon machin-kapab rekonesans otomatik mak fiducial, reyalize kouch-a-kouch presizyon kouvri anjeneral nan ±0.5 μm a ±0.2 μm.
• Aliyman dèyè: Esansyèl pou MEMS atravè-kavite wafer, detèktè presyon, ak aparèy kouran. Mande enfòmasyon sou konfigirasyon kamera optik transmisyon enfrawouj (IR) oswa anba-si pwosesis ou a mande pou anrejistreman doub-.
4.4 Versatility substrate ak avantaj san mask
Kontrèman ak aligners rijid kontak oswa rediksyon steppers ki mande estanda, wafer-substra plat, Nice-sistèm teknoloji san mask bay konpatibilite inivèsèl substra:
• Gwosè Substra: Wafers konplè (2-pous, 4-pous, 6-pous, 8-pous, ak 12-pous) osi byen ke fragman iregilye clived mouri (jiska 5 mm × 5 mm).
• Materyèl Substrate: Silisyòm estanda, silica transparan fusion, kwatz, vè, nitrure galyòm (GaN), karbid Silisyòm (SiC), arsenide galyòm (GaAs), niobat ityòm, ak substrats polymère fleksib.
• Autofocus dinamik: Suivi sifas optik nan tan reyèl -otomatikman konpanse pou erè substrate banza ak bon rapò sere, asire konsantrasyon konsistan atravè wafers semiconductor konpoze deformation.
5. Egzanp WAFER TÈS & SEM METROLOGY VERIFIKASYON
Anvan finalize yon acha ekipman kapital, achtè teknik pa ta dwe janm konte sèlman sou fèy spesifikasyon pibliye. Kondisyon sal pwòp, fòmilasyon reziste, ak chimi pwomotè yo varye anpil ant enstalasyon yo.
Nice-Tech ankouraje kliyan potansyèl yo fè Egzanp Tès Ekspozisyon Wafer anvan yo bay yon Lòd Acha. Pwotokòl verifikasyon an ta dwe evalye senk paramèt metroloji debaz lè l sèvi avèk mikwoskopi elektwonik (SEM):
1. Inifòmite dimansyon kritik (CDU 3σ): Mezire CD sib atravè yon minimòm de 20 pwen atravè wafer la (sant, mitan, kwen) pou asire divèjans dimansyon se nan ± 5%.
2. Liy dans/Dans nan espas espas: Verifye atravè SEM transvèsal-seksyon transvèsal yo ke tranche dans 1:1 yo pa gen degoute, mikwo-pon, oswa kanpe-vag.
3. Sidewall Angle: Konfime ke pwofil flan fotorezistan depase 85 degre (oswa matche ak egzijans pwosesis ou a, tankou pwofil retwograd undercut pou leve-off).
4. Liy Edge Rugosité (LER) & Liy Width Ruughness (LWR): Enspekte gwo -agrandisman anwo- anba imaj SEM pou verifye kwen liy lis, kritik pou pèt fotonik gid ond ak pèfòmans pòtay RF.
5. Presizyon Superposition: Modèl yon echèl vernier tès sou yon kouch aliyman ki deja egziste-pou verifye repetibilite anrejistreman atravè tout zòn substra a.
6. LIS VERIFICATION PRE-ACHRISMAN: KISA POU PREPARE AVAN MANDE YON QUOTASYON
Pou resevwa yon sitasyon egzat, ki pwepare ak yon konfigirasyon ekipman nan men Nice-Teknoloji, akizisyon ak ekip jeni pwosesis yo ta dwe prepare lis teknik sa a:
[1] . Espesifikasyon substrate sib:
• Materyèl: Silisyòm, Quartz, Safi, GaN, SiC, Glass, oswa lòt.
• Fòma: Dyamèt wafer (pa egzanp, 4-pous, 6-pous, 8-pous) oswa ti bato k ap fann (pa egzanp, 10 mm × 10 mm).
• Kondisyon Sifas: Poli, metalize, transparan, oswa koube (espesye banza an mikromèt).
[2] . Kondisyon pou jeyometri karakteristik:
• Minimòm Dimansyon Kritik (liy izole, pòtay, oswa twou kontak).
• Liy/Espas Minimòm (kondisyon anplasman etalaj dans).
• Tolerans kouch kritik (egzanp, CD sib ± 5%).
[3] . Pwosesis Photoresist:
• Kalite fotorezist: Pozitif, negatif, oswa doub-ton.
• Non fotorezist: (pa egzanp, AZ 5214E, SU-8 2010, Shipley S1813).
• Sib epesè fim: (eg, 0.8 μm, 2.5 μm, 25 μm).
[4] . Kondisyon pou aliyman ak stratifikasyon:
• Ekspozisyon yon sèl kouch oswa anrejistreman milti-kouch.
• Metòd aliyman: Topside optik oswa dèyè enfrawouj (IR).
• Sib superposition jistès: (eg, < 0.5 μm).
[5] . Debi ak Volim Pwodiksyon:
• Volim wafer yo espere: (egzanp, 5 wafers/semèn pou R&D vs . 50 wafers/jou pou pwodiksyon pilòt).
• Egzijans otomatik: Manyèl chajman substra oswa semi-{0}}manyen kasèt otomatik.
[6] . Fòma Done Layout:
• Fichye konsepsyon estanda pare: GDSII, OASIS, DXF, oswa CIF.
7. KONKLIZYON AK PWOCHEN ETAP: FÈ PATENYE AK NICE-TECH
Chwazi bon sistèm litografi san mask la mande pou balanse CD izole, liy dans / anplasman espas, pwofondè konsantre, reziste epesè, ak vitès pwodiksyon an.
• Si sal pwòp ou a bezwen yon tout-cheval travay R&D, MLM 100 a bay adaptabilite ak latitid pwosesis san parèy.
• Si ou konsantre sou karakteristik izole sub-mikwon pou RF ak elektwonik pouvwa, MLM 200 a bay presizyon CD 0.4 μm.
• Si etablisman ou a okipe rezistans epè, anbalaj avanse, oswa mande pou maksimòm debi, MLM 400 a se estanda endistri a.
• Si aplikasyon w yo mande pou 0.5 μm dans 1:1 etalaj peryodik, griyaj, oswa estrikti fotonik, MLM 500 la delivre ekselans optik simetrik.
Pare pou evalye desen ou yo sou yon Nice-Sistèm Litografi San Mask?
Vizite paj ofisyèl pwodwi Nice-Tech pou eksplore espesifikasyon detaye machin yo:
Kontakte Ekip Enjenieri Aplikasyon Senior nou an nan dmjsemi.com pou soumèt modèl tès CAD/GDSII ou a pou ekspozisyon echantiyon wafer gratis ak enspeksyon metroloji SEM. Nou pral konfigirasyon yon pwopozisyon ekipman ki fèt espesyalman pou plan teknik ak bidjetè chanm pwòp ou a.
