Apèsi sou pwodwi
SCD8 a se konplètman-otomatik 8-pous vire kouvwi ak tras devlopè pou pwosesis litografi semi-conducteurs. Bati sou filozofi konsepsyon modilè, li sipòte plizyè konbinezon chanm epi li ka ekipe ak yon modil Entèfas pou koneksyon inline ak sistèm litografi. Ekipman an okipe Si, Glass, SiC ak lòt substrats, manje nan gwo -pwodiksyon volim osi byen ke R&D pou aparèy pouvwa, MEMS, RF sikui entegre ak anbalaj avanse. Li bay pèfòmans ki estab pou i-line, KrF, ArF, PI, SOG, SOC workflows litografi.
Avantaj
Doub -konpatibilite gwosè san ranplasman pyès ki nan konpitè Chanje ant diferan gwosè wafer san yo pa chanje pati mekanik, diminye chanjman pwodwi-sou tan ak pri operasyon.
Koneksyon an liy ki disponib pou zouti litografi Modil Entèfas opsyonèl pèmèt anchaj aliye ak machin ekspozisyon litografi prensipal yo reyalize totalman -otomatik tras-litho workflow.
Modil fonksyonèl rich opsyonèl Sipòte gwo -plak cho ak presizyon, aliyman optik, ekspoze kwen WEE wafer ak lòt adisyon-pou satisfè kondisyon pwosesis divèsifye.
Faktori -otomatik pare Lojisyèl sipòte tou de operasyon lokal yo ak kontwòl fab automatisation aleka, adapte yo ak egzijans jesyon faktori entelijan-.
Gran konpatibilite substrate Sipòte Silisyòm, vè, carbure Silisyòm (SiC), byen -apwopriye pou fabrikasyon semi-conducteurs lajè-bandgap.
Paramèt
|
Atik |
Spesifikasyon |
|
Modèl |
SCD8 8-pous Spin Coater & Developer |
|
Gwosè wafer |
8-pous (200 mm), doub gwosè konpatib san ranplasman pati |
|
Materyèl Substra |
Si, Glass, SiC |
|
Konfigirasyon chanm |
2C2D / 4C / 4D / 4C4D (personnalisable) |
|
Sipòte Pwosesis Litografi |
i-liy, KrF, ArF, PI, SOG, SOC |
|
Warped Wafer konpatibilite |
Sipòte Warpage Mwens pase oswa egal a 5 mm ultra-transfè ak pwosesis wafer mens / deformation |
|
Dimansyon (W × P × H) |
4053 × 1750 × 2460 mm |
|
Fonksyon Inline |
Si ou vle modil entèfas pou machin litografi aliye debakadè |
|
Inite si ou vle |
Gwo -plak cho ak presizyon, aliyman optik, modil ekspozisyon WEE wafer kwen |
|
Mòd kontwòl |
Kontwòl lokal / kontwòl automatisation faktori aleka |
|
Sètifikasyon |
Konfòme ak SEMI S2 |
Faqs
K: Ki substrats ak gwosè wafer SCD8 sipòte?
A: Sitou fèt pou 8 pous (200 mm) wafers. Substra sipòte gen ladan Si, Glass, SiC. Li sipòte chanjman gwosè doub san ranplasman pati, epi li ka trete wafers deformation / ultra mens ak deformation Mwens pase oswa egal a 5 mm.
K: Ki pwosesis litografi ki konpatib ak SCD8?
A: Li sipòte i line, KrF, ArF, PI, SOG, SOC pwosesis litografi, ki kouvri IC, lajè bandgap semiconductor ak bezwen pwosesis MEMS.
K: Èske SCD8 ka konekte inline ak eskanè litografi / steppers?
A: Wi. Ekipe ak modil entèfas opsyonèl, ochwa, li kapab rann kont anbale ak machin endikap ekspoze litografi.
K: Ki konfigirasyon chanm mwen ka chwazi?
A: Konfigirasyon ki disponib: 2C2D / 4C / 4D / 4C4D. Si ou vle ajoute: gwo presizyon plak cho, aliyman optik, WEE, modil entèfas aliye.
K: Ki moun ki itilizatè sib pou SCD8?
A: 8 pous semiconductor fab, manifaktirè aparèy pouvwa, MEMS / RF antrepriz, ak inivèsite ak laboratwa enstiti rechèch.
K: Èske SCD8 ka itilize pou tou de pwodiksyon an mas ak R&D?
A: Wi. Konfigirasyon modilè fleksib satisfè gwo volim pwodiksyon an mas liy, epi tou anfòm ti pakèt eksperimantal R&D senaryo.
Baj popilè: 8-pous spin-coater ak devlopè, Lachin 8-pous spin-coater ak manifaktirè devlopè, Swèd
