Apèsi sou pwodwi
Nan liy pwodiksyon an semi-conducteurs, Kouch ak Devlopman Sistèm se yon ekipman kle endispansab, ki esansyèl soti nan pwototip chip inisyal la nan fòmasyon nan modèl sikwi. Apre li fin resevwa substra a, Sistèm Kouch ak Devlopman an premye aktive sistèm wotasyon gwo -vitès la. Photoresist la gaye respire ak vitès jisteman-kontwole platin tournèt la, e menm kwen yo milimèt-nivo yo ka kouvwi san pwoblèm-etap sa a se tès ki pi presizyon, ak yon ti devyasyon pral afekte pèfòmans nan chip ki vin apre.
Photoresist kouvwi a toujou bezwen geri. Kouch ak Devlopman Sistèm nan bati-nan plak chofaj pral piti piti chofe pou fè kouch adezif la byen fèm konfòme yo ak substra a. Apre machin nan litografi fini ekspoze a, li imedyatman pran sou pwosesis la devlope. Lè w kontwole tanperati a ak entansite flite nan pwomotè a, li retire kouch adezif depase ki pa ekspoze a, epi se modèl debaz sikwi entegre a konsa revele.
Nan itilizasyon pratik, presizyon lajè liy Kouch ak Devlopman Sistèm nan patikilyèman serye, epi li apwopriye pou divès kalite pwosesis fabrikasyon chip. Anplis, kapasite pwodiksyon an, ki pi valè nan liy pwodiksyon an, se tou ekselan. Li ka trete yon gwo kantite substra pou chak èdtan, pandan y ap gen itilizasyon memwa ki ba. Li ka travay kontinyèlman pou plis pase dis èdtan estab, epi li ka konplètman kenbe moute ak ritm pwodiksyon an mas.
Tanpri kontakte reprezantan lavant nou yo pou jwenn solisyon ki pi apwopriye pou ou.
Avantaj
Segondè -fabrikasyon chip presizyon depann sou teknik kouch presizyon vire, ki garanti aplikasyon fotorezist ki konsistan ak siyifikativman diminye difikilte pwosesis ki vin apre yo.
Pwoblèm konplèks tankou aliyman distribisyon ak transfè wafer ant aparèy yo fasil jere pa metòd espesyal kontwòl kolaborasyon.
Avansman enpòtan nan presizyon kontwòl tanperati, omojèn nan nivo nanokal, ak kontwòl defo yo te lakòz pousantaj sede ki pi wo a 90%.
Solisyon kouch espesyalize a apwopriye pou tout kalite substra epi yo ka aplike nan gaufre ak diferan epesè ak fòm etranj.
Inifòmite ak efikasite yo ekilibre pa vitès optimize vire ak presyon kouch, ki diminye anpil pèt sede epi fè li pi fasil pou fabrike chips ak fòm iregilye.
Paramèt
①DS 100
|
Apèsi sou Aparèy DS 100 |
|||
|
Gwosè aparèy (mm) |
2825*1080*1600 2C2D + Entèfas |
Gwosè wafer |
2-6 pous wafers (50mm-100mm) |
|
WPH |
Mwens pase oswa egal a 160pcs |
MTTR |
Mwens pase oswa egal a 4hrs |
|
Evalyasyon merit |
Class1@0.1μm Zòn transfè wafer sèlman |
MTBF |
Pi gran pase oswa egal a 1000hrs |
|
Pwosesis aplikab |
Mwen liy, PI, PR |
MTBM |
>sis mwa |
|
Materyèl kontak wafer |
PEEK/PTFE/SERAMIC |
Pousantaj rupture wafer |
Mwens pase oswa egal a 0.01% |
|
Kasèt |
SMIF; Louvri kazèt |
LEVE TAN |
Pi gran pase oswa egal a 95% |
|
Zòn aplikasyon |
Semi-kondiktè konpoze, sikwi entegre, aparèy pouvwa, pwojè rechèch syantifik, aparèy optik, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, wafer deformation, wafer kare |
Anviwònman ègzekutabl lojisyèl |
Windows 10 oswa pita sistèm opere |
|
Lajè liy minimòm lan |
350nm |
Modil plak frèt ak cho |
(HP; CPL; ADH; HHP) Mwens pase oswa egal a 14PCS |
②DS 200
|
Apèsi sou aparèy DS 200 |
|||
|
Gwosè aparèy (mm) |
1660*1510*2000 (Konsepsyon Tower) |
Gwosè wafer |
2-6 pous wafers (50mm-100mm) |
|
WPH |
Mwens pase oswa egal a 150pcs |
MTTR |
Mwens pase oswa egal a 4hrs |
|
Evalyasyon merit |
Class1@0.1μm Zòn transfè wafer sèlman |
MTBF |
Pi gran pase oswa egal a 1000hrs |
|
Pwosesis aplikab |
Mwen liy, PI, PR |
MTBM |
>sis mwa |
|
Materyèl kontak wafer |
PEEK/PTFE/SERAMIC |
Pousantaj rupture wafer |
Mwens pase oswa egal a 0.01% |
|
Kasèt |
SMIF; Louvri kazèt |
LEVE TAN |
Pi gran pase oswa egal a 95% |
|
Zòn aplikasyon |
Semi-kondiktè konpoze, dirije, aparèy optik, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, wafer deformation, wafer kare |
Anviwònman ègzekutabl lojisyèl |
Windows 10 oswa pita sistèm opere |
|
Lajè liy minimòm lan |
350nm |
Modil plak frèt ak cho |
(HP; CPL; ADH; HHP) Mwens pase oswa egal a 14PCS |
③DS 300
|
Apèsi sou Aparèy DS300 |
|||
|
Gwosè aparèy (mm) |
2850*1360*2200 2C2D + Entèfas |
Gwosè wafer |
4-8 pous wafers (100mm- 200mm) |
|
WPH |
Mwens pase oswa egal a 160pcs |
MTTR |
Mwens pase oswa egal a 4hrs |
|
Evalyasyon merit |
Class1@0.1μm Zòn transfè wafer sèlman |
MTBF |
Pi gran pase oswa egal a 1000hrs |
|
Pwosesis aplikab |
Mwen liy, PI, PR |
MTBM |
>sis mwa |
|
Materyèl kontak wafer |
ASML, Nikon, CANON, CECT, SMCC |
Pousantaj rupture wafer |
Mwens pase oswa egal a 0.01% |
|
Kasèt |
SMIF; Louvri kazèt |
LEVE TAN |
Pi gran pase oswa egal a 95% |
|
Zòn aplikasyon |
Semi-kondiktè konpoze, sikwi entegre, aparèy pouvwa, chip memwa, pwojè rechèch syantifik, aparèy optik, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, wafer deformation, wafer kare |
Anviwònman ègzekutabl lojisyèl |
Windows 10 oswa pita sistèm opere |
|
Lajè liy minimòm lan |
180nm |
Modil plak frèt ak cho |
(HP; CPL; AD; DHP) Mwens pase oswa egal a 24PCS |
④DS 400
|
Apèsi sou Aparèy DS 400 |
|||
|
Gwosè aparèy (mm) |
3975*1655*2550 4C4D + Entèfas |
Gwosè wafer |
6-8 pous wafers (150mm- 200mm) |
|
WPH |
Mwens pase oswa egal a 180pcs |
MTTR |
Mwens pase oswa egal a 4hrs |
|
Evalyasyon merit |
Class1@0.1μm Zòn transfè wafer sèlman |
MTBF |
Pi gran pase oswa egal a 1000hrs |
|
Pwosesis aplikab |
I line, KrF, ArF, PI, PR, Package |
MTBM |
>sis mwa |
|
Materyèl kontak wafer |
ASML, Nikon, CANON, CECT, SMCC |
Pousantaj rupture wafer |
Mwens pase oswa egal a 0.01% |
|
Kasèt |
FOUP; SMIF; Louvri kazèt |
LEVE TAN |
Pi gran pase oswa egal a 95% |
|
Zòn aplikasyon |
Semi-kondiktè konpoze, sikwi entegre, aparèy pouvwa, chip memwa, pwojè rechèch syantifik, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, wafer deformation, wafer kare |
Anviwònman ègzekutabl lojisyèl |
Windows 10 oswa pita sistèm opere |
|
Lajè liy minimòm lan |
90nm |
Modil plak frèt ak cho |
(LHP; CPL; ADH; HCH; PHP; HCP) Mwens pase oswa egal a 38PCS |
⑤DS 500
|
Apèsi sou aparèy DS 500 |
|||
|
Gwosè aparèy (mm) |
5370*2100*2650 4C4D + Entèfas |
Gwosè wafer |
8- 12 pous wafers (200mm- 300mm) |
|
WPH |
Mwens pase oswa egal a 200pcs |
MTTR |
Mwens pase oswa egal a 4hrs |
|
Evalyasyon merit |
Class1@0.1μm Zòn transfè wafer sèlman |
MTBF |
Pi gran pase oswa egal a 1000hrs |
|
Pwosesis aplikab |
I line, KrF, ArF, PI, PR, Package |
MTBM |
>sis mwa |
|
Materyèl kontak wafer |
ASML, Nikon, CANON, CECT, SMCC |
Pousantaj rupture wafer |
Mwens pase oswa egal a 0.01% |
|
Kasèt |
FOUP; SMIF |
LEVE TAN |
Pi gran pase oswa egal a 95% |
|
Zòn aplikasyon |
Semi-kondiktè konpoze, sikwi entegre, aparèy pouvwa, chip memwa, pwojè rechèch syantifik, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, wafer deformation, wafer kare, CoWoS |
Anviwònman ègzekutabl lojisyèl |
Windows 10 oswa pita sistèm opere |
|
Lajè liy minimòm lan |
45nm |
Modil plak frèt ak cho |
(LHP; CPL; ADH; HCH; PHP; HCP) Mwens pase oswa egal a 42PCS |
Sètifika
Baj popilè: kouch ak devlope sistèm, Lachin kouch ak devlope sistèm manifaktirè, Swèd
