RIE Etcher 12-pous

RIE Etcher 12-pous

RIE Etcher 12-pous (Reactive Ion Etcher) nou an se yon ekipman gravure ak presizyon sèk nou devlope poukont nou—prepare espesyalman pou mikwo-nano pwosesis avanse. Nan nwayo li yo, li melanje bonbadman iyon fizik ak mekanis reyaksyon chimik, finalman kraze nan sa ki difisil "balans presizyon-kontwòl" kou boutèy ki depi lontan gwo malè tonbe sou teknoloji tradisyonèl grave.
Voye rechèch
Dekri teren

Apèsi sou pwodwi

 

RIE Etcher 12-pous (Reactive Ion Etcher) nou an se yon ekipman gravure sèk ak presizyon nou devlope poukont nou-prezante espesyalman pou mikwo-nano pwosesis avanse. Nan nwayo li yo, li melanje bonbadman iyon fizik ak mekanis reyaksyon chimik, finalman kraze sa a difisil "presizyon -kontwol balans" kou boutèy ki te soufri depi lontan teknoloji etching tradisyonèl yo. Li gen anpil kapasite gravure anisotropik ak seleksyon materyèl ultra-segondè, ki fè li tounen yon zouti pwosesis debaz pou fabrikasyon semi-kondiktè, devlopman MEMS, ak pwodiksyon aparèy optoelektwonik. Si w ap fè rechèch laboratwa wo oswa ogmante pwodiksyon an mas endistriyèl, seri sa a bay solisyon pwosesis ki estab, serye ou ka konte sou yo.

 

Aplikasyon

 

  1. Faktori Semiconductor: Nou itilize li pou modèl tranzistò devan-fen, dèyè-grave TSV fen, ak pwosesis substrate SOI-total dwe-gen pou pwosesis chip retresi.
  2. MEMS Devlopman Aparèy: Li kloure pwosesis egzak nan mikwo-detèktè, actuators, ak bato fluidik, seryezman grave estrikti 3D (jiska 20: 1 rapò aspè) sou Silisyòm ak polymère.
  3. Endistri optoelektwonik: Travay pou gid ond optik, wafers epitaxial ki ap dirije, fotodetektè -strikti sere kontwòl manivelle ogmante efikasite limyè.
  4. Rechèch nanoteknoloji: Koup ak teknoloji ALE, li fè yon nivo atomik-retire materyèl-super serye pou materyèl 2D (grafèn, MoS₂) ak nano-modèl.

 

Avantaj

 

Uni-konsèp konsepsyon kò:

Pye-enprime eksepsyonèl (ref 1.0m * 1.0m)

Ponp sant chanm inifòm-desann:

Pi bon pèfòmans pwosesis

Manje gaz pou tèt douch-nan, tou ka konfigirasyon:

Branche kòm yon paramèt prereglaj depandans

Gap egzeyat Plasma ka konfigirasyon:

Branche kòm yon paramèt prereglaj depandans

Pri oswa oryantasyon pèfòmans opsyonèl:

RF, Ponp, Valè elatriye depann sou kondisyon

Egzanp manyen opsyonèl:

Louvri-Chaje oswa Chaje-Bloke

 

Paramèt

 

Spesifikasyon

Paramèt

Gwosè Wafer Range

4,6,8,12 pous oswa milti-gaftes opsyonèl

Materyèl grave

Si-Baze (Si/ SiO2/ SiNx/ SiC/ Quartz elatriye), konpoze
(InP/ GaN/ GaAs/ Ga2O3/ ZnS, elatriye), 1D & 2D Materyèl
(MoS2/BN/Graphene, elatriye), Metal (Au/Pt/W/Ta/Mo, elatriye),
Analiz echèk, elatriye.

Vakyòm

TMP & ponp mekanik

RF pouvwa

Ranje konplè 300-1000W, si ou vle

Sistèm gaz

4 liy (estanda) oswa Customized

Wafer refwadisman

Refwadisman Dlo oswa He Backside Cooling opsyonèl

Etap Wafer
Tanperati
Range

Soti nan-70 degre a 200 degre, si ou vle

Ki pa-inifòmite

Mwens pase ± 5% (Edge eksklizyon)

 

FAQ

 

Ki kalite materyèl RIE Etcher 12-pous ka trete?

Li kouvri materyèl ki baze sou Si-, semi-conducteurs konpoze, materyèl 1D & 2D, metal, elatriye, epi li sipòte tou analiz echèk nan materyèl ki gen rapò.

Ki gwosè wafer yo sipòte?

Konpatib ak 4/6/8/12-pous wafers ak pwosesis milti-wafer, ak solisyon Customized ki disponib pou gwosè espesyal.

Ki sa ki inifòmite a grave?

Non-inifòmite a se<±5% after edge exclusion, ensuring full-wafer processing consistency.

Ki ranje tanperati etap wafer la?

Si ou vle -70 degre a 200 degre, satisfè kondisyon ki nan ba -tanperati a wo-tanperati grave pwosesis.

Konbyen liy gaz ki nan konfigirasyon estanda a, epi li ka Customized?

Konfigirasyon estanda a gen ladan 4 liy gaz, ki ka Customized ak elaji selon bezwen pwosesis konplèks.

Ki sa ki ranje pouvwa RF?

Kouvri yon seri konplè nan 300-1000W, chwazi sou demann.

Ki metòd manyen echantiyon yo ye?

Bay de opsyon: Louvri-Chajman ak chaj-Bloke, adapte a diferan efikasite pwodiksyon ak bezwen kontwòl anviwònman an.

Ki sistèm vakyòm ki ekipe?

Adopte yon konbinezon de ponp turbomolekilè TMP ak ponp mekanik pou asire yon anviwònman vakyòm ki estab ki nesesè pou grave.

Èske antretyen ekipman pratik?

Konsepsyon entegre a senplifye estrikti entèn la, eleman kle yo fasil pou kenbe, diminye D 'ak difikilte pou antretyen.

Èske diferans nan plasma egzeyat ka ajiste?

Li ka configuré ak ajiste kòm yon paramèt prereglaj selon kondisyon pwosesis pou reyalize kontwòl egzak grave.

Èske li sipòte opsyon konfigirasyon oryante pri-oswa pèfòmans-oryante?

Sipòte tou de konfigirasyon; konpozan kle tankou ekipman pou pouvwa RF, ponp, ak tiyo yo ka chwazi sou demann pou balanse pri oswa amelyore pèfòmans.

Èske metòd refwadisman wafer la ka Customized?

Sipòte de opsyon: refwadisman dlo ak refwadisman dèyè li, ak solisyon Customized ki disponib pou bezwen espesyal.

 

Baj popilè: rie etcher 12-pous, Lachin rie etcher 12-pous manifaktirè, Swèd

Voye rechèch