Apèsi sou pwodwi

Machin Reactive Ion Etching (RIE) yo se zouti segondè -pèfòmans sèk grave ki bati otou teknoloji dechaj frekans radyo. Trick debaz yo? Koup bonbadman fizik ak reyaksyon chimik pou retire materyèl sib yo byen -pa gen okenn meli melo, jis presizyon.

Yo se yon anfòm pafè pou tout workflow endistri semi-conducteurs la, soti nan R&D rive nan pwodiksyon plen -echèl. Silisyòm, semi-conducteurs konpoze, tout kalite materyèl dielectric -ou non substra a, yo ka grave li ak presizyon. Epi yo se lakay yo nan pwosesis kle pou dènye -teknoloji: sikui entegre, aparèy optoelektwonik, ekipman kominikasyon 5G, menm chip pwopòsyon.

Ajoute kontwòl dijital entelijan ak ajisteman otomatik presyon konstan, epi ou jwenn wòch -repetibilite pwosesis solid ak konsistans grave chak fwa. Kit w ap fè ti -tès laboratwa pakèt oswa w ap pwodwi pwodwi nan yon faktori, machin sa yo adapte san pwoblèm. Bezwen pèfòmans siplemantè? Opt pou chanm chaje LOAD LOCK. Li diminye kontaminasyon atmosferik, akselere chajman, epi kenbe vakyòm chanm lan byen sere-tout pou kreye yon anviwònman pwòp, ki estab pou gwo-gravure ak presizyon. Anba liy: li ede kliyan lise kinks yo teknik soti nan aparèy R & D tout wout la nan pwodiksyon an mas.

Aplikasyon

Machin RIE briye ak grave egzak ak plizyè -adaptabilite materyèl-yo se yon ale-pou R&D semi-conducteurs ak pwodiksyon. Men kote yo reyèlman delivre:

1.Integrated Circuit (IC) Faktori: Gwo pou chips lojik ak memwa (DRAM, NAND Flash enkli). Li kloure mikwo-a-nano-echèl grave sou substrats Silisyòm ak pòtay polysilicon, kenbe estrikti sikwi ak pèfòmans elektrik fiks.
2. Optoelectronic Aparèy Pwodiksyon: Fit dwat nan manifakti ki ap dirije ak VCSEL. Li grave safi, materyèl ki baze sou GaN-, ak kouch dyelèktrik SiO₂ pou konstwi rejyon ki emèt limyè- ak estrikti gid ond yo, pou ogmante efikasite konvèsyon fotoelektrik.
3. 5G Pwosesis Aparèy Kominikasyon: Pafè pou Kovèti pou 5G RF (filtè, anplifikatè pouvwa). Li grave GaAs, GaN, ak SiC substrats pou fabrike gwo -frekans mikwo-nano estrikti, asire siyal yo rete estab menm nan gwo-frekans, gwo-kondisyon pouvwa.
4. Avanse Rechèch Semiconductor: Sipòte ba -grave domaj pou chips pwopòsyon (superconducteurs, kalite pwen pwopòsyon) ak mikwo-nano pwosesis nan koupe-materyèl dènye kri tankou carbure Silisyòm ak materyèl 2D-pafè pou eksplorasyon pwosesis enstitisyon rechèch yo.
5. MEMS ak jaden Capteur: Manch aparèy MEMS (akseleromèt, mikromir) ak detèktè semi-conducteurs. Li grave Silisyòm ak Silisyòm-dielectrics ki baze sou yo fòme mikwostrikti 3D, asire pèfòmans solid mekanik ak sansiblite deteksyon.

Avantaj

1.Top-niveau presizyon:

Ekip gravure fizik ak chimik pou kloure mikwo-a-nano-echèl- nan menm nivo ak sa mikwo-nano fabrikasyon mande.

2. Broad konpatibilite materyèl:

Jwe bèl ak Silisyòm, semi-conducteurs konpoze, dyelèktrik, ak plis ankò, ki kouvri bezwen pwosesis nan tout kalite jaden.

3. Segondè estabilite:

Gen anpil kontwòl tanperati dijital ak règleman presyon konstan, kenbe pwosesis ki konsistan ak koupe sou fluctuations sal.

4. Domaj materyèl ki ba:

Kenbe mal substra ak kontaminasyon nan yon minimòm, kidonk pwopriyete orijinal materyèl ou yo rete entak.

5. Gwo fleksibilite:

Ou ka patisipe pou yon chanm LOAD LOCK, epi nou sipòte tou konfigirasyon Customized pou anfòm kèlkeswa ka itilize ou genyen.

Paramèt

Atik	Endikatè espesifik
Gwosè Wafer ki aplikab	8 pous ak anba
Pousantaj Etching	0.1-4μm/min (valè espesifik depann sou kalite a materyèl yo dwe grave ak aktyèl paramèt pwosesis)
Etching Inifòmite	± 5% (ki baze sou wafer 6-pous, metòd kalkil: (Valè Maksimòm- Valè Minimòm)/(2x Valè Mwayèn))
Metòd Refwadisman Etap Substra	Refwadisman dlo
Metòd kontwòl	Tout kontwòl dijital otomatik
Kontwòl presyon	Otomatik ajisteman presyon konstan (asire pwosesis estabilite)
Konfigirasyon si ou vle	CHAY LOCK chaj chanm (ka diminye atmosferik polisyon, amelyore efikasite loading ak chanm kapasite retansyon vakyòm)